碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管 电量多了1.9倍

   芯片制造商现在面临一定的困难，它们要用更小的制程制造更快的CPU，正因如此，芯片企业已经开始寻找“硅”的替代品（比如碳纳米管），碳纳米晶体管已经超越了硅晶体管，无论从电量还是性能上，碳纳米晶体管比硅晶体管高。　　

   近日，美国威斯康星大学的研究人员成功开发出了碳纳米晶体管，其性能大大超越现有的硅晶体管，它能通过的电量比晶体管多了1.9倍。研究人员表示，碳纳米晶体管性能超越硅晶体管，这还是第一次。
  据悉，碳纳米管内存已经走出实验室，开始投入生产，这是一个振奋人心的消息，如果美国威斯康星大学的研究能够推广，NRAM内存就可以与碳纳米管CPU搭配使用。
  要校准碳纳米管在圆晶上的位置、保证其纯度是一大挑战，威斯康星大学在这方面取得了重大进展。研究人员表示，消除金属杂质是一大关键，因为它会破坏碳纳米管的半导体性能。
  从理论上讲，未来碳纳米晶体管的性能可以比硅晶体管高5倍，换言之，如果用在设备中，它的能耗要比硅晶体管低5倍。一旦该技术真正投入使用，就可以开发出更强大的处理器、让无线通信速度更快、提高便携设备的续航能力。
   碳纳米管的市场前景广阔，然而它已经在实验室沉寂了几十年，因为碳纳米管的应用面临着技术和经济上的挑战。令人欣喜的是针对碳纳米管的研究仍然在继续，而且不断取得了突破。