中国存储力量日渐崛起 产业化仍须静待时机

　　自1999年始，全球存储器业历经六次大的兼并与退出，厂家规模与数量减少，至今为止DRAM方面只剩下包括三星、海力士和美光在内的三家企业，而闪存方面也只有三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔等四组。　　
　　反观国内，近些年我国一直关注着存储器的发展。2014年，国家颁布实施《国家集成电路产业发展推进纲要（2015-2025）》，并成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金。2015年，发展存储器上升为国家战略。　
　　在国家政策的刺激下，2016年武汉、合肥、深圳、泉州等多地纷纷传出加码存储器芯片的声音，拟布局或开工建设存储器芯片生产线。如北京有紫光集团宣布投资300亿美元做存储器，武汉有武汉新芯准备耗资240亿美元打造国家级存储器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晋江也在跃跃欲试。　　
　　业内人士表示，中国此轮“存储热潮”既说明《推进纲要》第一阶段实施工作已取得显著成果，也预示着下一轮全球存储器发展的中心将逐步向中国转移。另一方面来看，随着行业内大动作的频繁出现，我国发展存储器产业形成了三路进击的趋势，除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成，第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也开始蠢蠢欲动。　　
　　尽管目前大陆在发展存储器产业的道路上已经迈出第一步，然而未来的前景依然迷雾重重。首先，在市场方面，根据最新的DRAMeXchange数据，受到智能手机加载内存容量需不断增长的影响，第三季度移动式内存总产值达45.88亿美元，季增16.8%。　　
　　同样受到智能手机需求的影响，第三季度NAND闪存开始涨价，使得NAND厂商营收季度增长19.6%，营业利润率环比大幅增加。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季度各类电子终端设备的出货量将进入年度高峰期，预估整体NAND闪存将呈供不应求的状况，NAND闪存的合约价格涨幅将会更高。　　
　　而从产业方面来看，无论是DRAM、NAND Flash，还是有可能带来产业变革机会的3DNAND产品，都处在高度垄断。目前，三星在3D NAND方面处于领先地位，主流技术已经是64层的3D NAND，且其3D NAND产出己经占到其NAND总出货量的40%。　
　　除此之外，技术人才的缺乏也是中国大陆发展存储产业的短板之一。DRAMeXchange分析师多次表示，人才将是中国大陆发展存储业的一个瓶颈。可以预见，未来市场对半导体工程师的需求是庞大的，因此建立存储器的人才培养机制，方是长久之计。　　
　　综上所述，我国存储器要实现量产仍然需要较长时间。但是伴随着当前的政府政策支持以及各地产学研的不断努力，加之现在互联网的发展和云计算的不断成熟，假以时日，我国存储器产业化必将迎来利好时机，我国的存储器产业也会在国际上占有一席之地。