三星开发半导体晶圆级单晶石墨烯新工艺

作者： 2014年04月11日来源：浏览量：

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【摘要】三星电子近日宣布，三星先进技术研究所（SAIT）与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。

三星电子近日宣布，三星先进技术研究所（SAIT）与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。”

　　石墨烯具有比硅（现今在半导体中最广泛使用的材料）高百倍以上的电子迁移率，比钢更耐用，并具有高的热传导性以及灵活性，这使得它成为柔性显示器、可穿戴设备等下一代电子设备的理想材料。

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