客户咨询：
溅射制备
AIN靶材射频磁控溅射制备AIN薄膜及性质研究(2013-08-28)
nl一V族半导体氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光学、电学和半导体领域具有很大应用潜能。氮化铝(AIN)具有许多突出的物理化学性能，如宽的直接带隙(5.9~6.2ev)，大的击穿场强(10kV/m)，高的热导率3。2w/(cm.…[详情]
溅射制备
AIN靶材射频磁控溅射制备AIN薄膜及性质研究(2013-08-28)
nl一V族半导体氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光学、电学和半导体领域具有很大应用潜能。氮化铝(AIN)具有许多突出的物理化学性能，如宽的直接带隙(5.9~6.2ev)，大的击穿场强(10kV/m)，高的热导率3。2w/(cm.…[详情]