AIN靶材射频磁控溅射制备AIN薄膜及性质研究

作者： 2013年08月28日来源：浏览量：

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nl一V族半导体氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光学、电学和半导体领域具有很大应用潜能。氮化铝(AIN)具有许多突出的物理化学性能，如宽的直接带隙(5.9~6.2ev)，大的击穿场强(10kV/m)，高的热导率3。2w/(cm.K)，

nl一V族半导体氮化物(GaN、AIN、BN、InN)在光学、电学和半导体领域具有很大应用潜能。氮化铝(AIN)具有许多突出的物理化学性能，如宽的直接带隙(5.9~6.2ev)，大的击穿场强 (10kV/m)，高的热导率3。2w/(cm.K)，良好的化学稳定性，高表面声波速度，高熔点，低的热膨胀系数等。这些性质使它成为微电子学和光学领域内光电器件的绝缘层和缓冲层的最佳材料。

在目前的111一v族半导体氮化物材料研究中，制备高质量AIN薄膜是人们关注的重要问题之一各国学者利用不同的方法合成具有一定择优取向的AIN薄膜，例如，化学气相沉积法 (CvD)，分子束外延法(MBE)，激光烧蚀与沉积法，气相沉积法等，并取得了一些重要的进展。以上方法得到了具有一定应用前景的薄膜，但制备工艺复杂，所需衬底温度高，有的衬底温度甚至达到 1800OC。与以上方法比较而言，射频磁控溅射法是一种大面积、低成本的薄膜制备技术。它具有沉积温度低、可控性强、薄膜结构和表面比较均匀等特点而被广泛应用。

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